第422章 EUV难度更大

作品:你若开挂,金钱自来|作者:取个名很难啊|分类:都市|更新:2024-02-08 01:25:17|字数:4520字

三人来到张江开发区,走进SMEE研发大楼,来到一间硕大的车间。

好家伙。

偌大车间,一台巨大的设备占据了大部分空间。

看着线路及零部件密集程度,令人头皮发麻。

“老板,这就是我们研发的DuvArfi光刻机,不出意外,应该是目前国内最高水准。”何融明用略带骄傲的口吻介绍道:

“从双工作台、光源系统、曝光系统到物镜系统、光栅系统……任何一个零部件都是国产自主。”

换作八年前,何融明想都不敢想。

这就是资本得当的魔力。

“即便只是DUV光刻机,也是全球唯一一个能独立制造的国家。”梁青松说。

他的神情与有荣焉。

“售价准备多少?”常乐问。

“我们计划3000万美元一台。”何融明说。

嗯,ASML的DUV光刻机型号不同,价格不同。

DUV价格区间为2000万欧元至6500欧元。

其中,与国产DUV相类似的,售价为6500万美元。

“这是很有竞争力的价格。”常乐点头。

“对,因为全线国产自主,我们的成本可以压到很低。”何融明说。

片刻后,车间内来了很多人。

这些人都是零部件企业和科研机构负责人。

何融明一一向常乐介绍。

常乐一一和这些人握手。

这些企业中,有华卓精科,他们提供双工件台;

有科益虹源,他们提供光源;

有国科精密,提供曝光系统;

有启尔机电,提供浸没系统;

有国望光学,提供物镜;

有沪光所,提供光栅系统;

还有南大光电,他们提供光刻胶;

华特气体提供光刻气体;

华润膜提供光掩膜板;

东方晶源提供缺陷检测系统;

以及,芯源微提供涂胶显影。

正是这些企业的大力研发,才能确保成功研发Duv浸没式光刻机。

Smee和ASML一样,都是系统组合商。

核心技术聚焦设备组合,而不是设备研发。

介绍完且相互认识之后,众人一同来到会议室。

依次坐定,常乐说:

“首先,要感谢各位八年来的不懈努力和辛勤付出。”

“因为你们的砥砺奋进、守望相助,国产光刻机才能在如此短的时间内,实现Krf光刻到ArFi光刻的三级跳,取得了历史性突破。”

“但是,现在还不是我们庆功的时候。”

“新的挑战就在眼前,站在技术迭代的关键十字路口,下一步我们该怎么走,还需要再确定、再出发。”

掌声!

常乐说完这几句话,问何融明:“何总,目前Asml那边EUV光刻机什么进展?”

“据我们所知,应该已经完成原型机研发,但离真正上市商用,还需要时间,具体时间不确定。”何融明说。

“那这么说,我们和Asml的差距不大了?”常乐继续问。

“嗯……单单产品方面看,差距确实不大,甚至我们还更有优势。”何融明解释道:

“但是从技术和产品积累看,我们要走的路还有很长。”

“因为他们研发Euv,走了22年,必然遇到我们想都想不到的问题。这些问题,接下来我们都会遇到。”

“嗯。”常乐点头,继续问:“何总,从Duv跨越到Euv难点在哪里?”

“难点很多,光源、物镜、工作台等等都是非常关键的环节点。”何融明说:

“老板,要不这样,让在座的企业负责人介绍一下?术业有专攻,他们更专业,也更容易解释清楚。”

“行。”常乐点头。

于是,启尔电机负责人先发言:

“常总,何总,我先说说吧。”

“好。”

“首先感谢常总、何总这些年,对启尔电机的关心和支持,没有SMEE的资金支持和帮助,启尔电机不可能走到上市前夜。”

“什么时候上市?”常乐问。

“12月。”

“那我们之前买的那些股票要值钱了。”

“哈哈……”

短暂笑过,启尔电机负责人开始正式介绍情况:

“启尔电机主要为DuvArFi光刻提供浸没系统。”

“通过浸没系统和光的折线效应,实现了193纳米到134纳米的等效波长,Arf光刻推进到Arfi光刻才成为可能。”

浸没系统,就是将镜片与硅片之间的空间,浸入特殊液体中。

由于液体折射率大于1,能够使193纳米波长光源缩短至134纳米,从而实现更高分辨率。

也顺带,将光刻工艺节点从45纳米推进到14纳米、10纳米。

“但是……”该负责人话锋一转:

“同样的方法,157纳米波光光源叠加浸入技术后,无法降低波长。”

“所以,进入EUV阶段,就需要更为复杂的技术和手段来实现极紫外光源。”

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