第476章 层闪存芯片

作品:你若开挂,金钱自来|作者:取个名很难啊|分类:都市|更新:2024-02-21 08:14:59|字数:4504字

第二天。

常乐和曾熙返回江州,然后马不停蹄转道去了长宁。

抵达长宁,没有惊动地方,直奔长宁存储。

刚下车,看见长宁存储CEO杨永宁、COO高启明,迈着轻快步伐大步跑来。

两人脸上都洋溢着激动、兴奋的神色。

常乐问两位:“介绍一下?”

杨永宁和高启明同时点头。

杨永宁先说:

“老板,基于Xtacking架构的128层QLC3DNAND闪存研发成功……”

“而且,已经通过群联、联芸两家控制器厂的SSD系统验证。”

“我们计划今年年底正式量产,推向市场。”

高启明接着说:

“另外,128层TLC规格的闪存芯片,也同时研发成功,这表明我们领先了全世界。”

QLC与TLC是常见的存储芯片类型。

两者运用于不同的场景。

区别就在于,每一个存储单元能够存储的位数不同。

QLC芯片,每个存储单元可以存储四个比特。

TLC芯片,每个存储单元可以存储三个比特。

所以QLC的存储密度比TLC更高,但是耐久性不行。

一般,QLC应用于小容量场景,如家用的固态硬盘;

而TLC应用于大容量场景,如数据中心的服务器。

常乐、曾熙听完两人的介绍,很高兴。

在EUV面世、国内高端芯片面临无法生继续迭代和生产的关键时刻……

闪存芯片领先全球,是一个振奋人心、提振士气的消息。

曾熙问道:“其他技术大厂的研发进程是什么情况?”

高启明回答:“目前,基本停留在96层技术上,部分厂96层还未进入量产。”

“三星已经大规模量产第五代V-NAND存储芯片,堆叠层数96层。”

“美光最近遭受晋华、联电的反诉,后者认为美光的产品专利侵权。”

“据悉,当前的证据对镁光极为不利,镁光可能采取场外手段反制。”

“他们目前只能量产64层3DTLCNAND芯片,96层芯片还在研发,计划今年年底推出。”

“东芝存储已经改名铠侠,他们也已经成功研发96层3DNANDFLASH芯片,但是也没有量产。”

“其他,如SK海力士、英特尔等大厂,总体进度和三星一致,要实现128层芯片堆叠,还需要1-2年时间。”

“也就是说,从目前起,我们已经从追赶角色转变为引领角色。”

说到这里,高启明、杨永宁脸上神情非常振奋。

常乐也是喜上心头,溢于言表。

回顾长宁存储的成立和入局,不过才4年多时间。

当初成功研发32层技术时,与国际大厂的技术差距大概在5年时间左右。

然而。

在杨永宁、高启明的带领下,短短4年多时间,就攻克32层、64层,略过96层,突破至128层……

抹平了代差不说,还领先一个代次。

这其中,Xtacking架构功不可没。

Xtacking架构是全新自主架构,没有任何专利陷阱。

目前,长宁存储已经在Xtacking架构上,积累了1000多项核心专利。

当然,刻蚀、沉积等国产替代设备也至关重要。

他对曾熙说:

“曾姐,公司安排一笔专项资金,对研发人员进行重奖。”

曾熙点头:“好的。”

杨永宁、高启明两人笑了起来。

他们已经实现财务自由,但不代表长宁存储的研发人员实现了财务自由。

没有人会嫌弃钱多。

钱的作用,就是进一步激发员工的最大潜在动力,最大限度发挥主观能动性。

“谢谢老板,您看什么时候对外发布?”杨永宁问道。

“我看就这几天比较好。高调宣布一下,另外产品排产要抓紧,争取早日上市,全力把固态硬盘价格打下来。”常乐说:

“反周期大法,三星能用,我们也能用,要像京东方的屏幕一样,逆周期而行,拖垮对手。”

嗯,这一年。

全球手机终端销量不及预期;

EUV面世进一步压缩了全球手机销量;

此外,三季度英特尔PC处理器旺季缺货;

北美数据中心订单大幅缩减;

一系列因素导致NANDFLASH市场供过于求。

消费类NANDFLASH价格大跌65%。

此时,正是反周期大法实施良机。

本质就是谁产能更大、成本更低,谁最能亏的起。

“好的,我们马上安排。”杨永宁说。

经过紧张筹备,一周后,也就是9月底。

长宁存储高调举行新闻发布会。

发布会上,高启明宣布:成功研发128层QLC(TLC)3DNAND;

同时,通过群联、联芸两家控制器厂的SSD系统验证;

高启明还强调,基于Xtacking架构的128层闪存,拥有最高单位的存储面积、最高的I/O传输速度,以及最高的单颗NAND闪存芯片容量。

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